内存的其他种类
RDRAM – Rambus DRAM 。美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式，彻底改变了内存的传输模式；RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。
DRDRAM – Direct Rambus DRAM。下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。
FPM DRAM - Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器。改良版DRAM，大多数为72Pin或30Pin。传统DRAM在存取一个Bit的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。
EDO DRAM - Extended Data Out DRAM。延伸数据输出动态随机存取存储器。继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin。FPM DRAM是在上一次的数据读取完毕才会进行下一个数据的读取，但是对于EDO DRAM却是完全不一样的。 EDO DRAM可以在输出数据的同时进行下一个列地址选通。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右
VRAM - Video RAM，视频内存。将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。
BEDO DRAM - Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器。改良型的EDO DRAM，芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。
MDRAM - Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器。内部分成数个类别不同的Bank，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。
WRAM - Window RAM，窗口随机存取存储器。 改良版VRAM，控制线路有10-20组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式，速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），应用于专业绘图工作。
SGRAM - Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器。改良版SDRAM，它以Block（即每32bit）为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt）。
SB SRAM - Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器。一般的SRAM是非同步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。
PB SRAM - Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器。CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，PB SRAM取代SB SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。
SLDRAM - Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器。扩展型SDRAM结构内存，增加了更先进同步电路，改进了逻辑控制电路。
CDRAM - CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器。在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。
关于内存条
电脑、服务器等中的内存条为RAM。按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条（SIMM），和双列直插内存条（DIMM）。SIMM内存条分为30线，72线两种。DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用，不同容量可混合使用，SIMM必须成对使用。
每根内存条上都有一个SPD芯片，SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片，一般容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中。 启动计算机后，uEFI就会读取SPD中的信息，Chipset就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。
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